SJ 50033.17-1994 半导体分立器件.3DK308型功率开关晶体管详细规范
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ID： |
F6232683D82B4010807E6EAFCC7218FE |
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文件大小(MB)： |
0.42 |
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页数： |
10 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DK308型功率开关晶体管详细规范,SJ 50033/17-94,1范围,1-I主题内容,本规范规定了 3DK3O8A-G型NPN硅功率开关晶体管的详细要求，每种器件均按,GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）,1.2 外形尺寸,外形尺寸应按GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》的B2 — O1C型及如下规定（见图1）；,图,中华人民共和国电子工业部1994-09- 3。发布1994-12-01 实施,1 —,SJ 50033/17-94,1.3 最大额定值,型 号,PtJ,Tc 工25c,(W),匕二理),(V),匕政,(V),%股,(V),厶,(A),厶,(A) (t),ァ叫,(C),3DK308A 700 400,3DK3Q8B 800 450,3DR308C 900 500,3DK308D 150 1000 550 6 丒7.0 2.0 175 一 55775,3DK3O8E 1100 60,3DK3O8F 1300 700,3DK308G 1500 800,注:DTc>25C,按L0W/C的速率线性地降额,1-4主要电特性(Ta =25C),注门〉Arei く40各档,其误差不超过±20% "皿>40各档,其误差不超过±10%,\极限值,型号、,ん陶い,Vce =10V,k =3.5 A,y CECwt) % をtt. /t,VCE =10V,Ic —1, 0A,ナーエ0MHz,(MHz),*CB =10V,f=0. 1MHz,Ze =0,(pF),衣thij-の,Vce』25V,1c =2, 0A,CC/W),1c ==3, 5A,k =8 7A,(V),= 3.5A,I加=0, 7A,［地=7.15A,(ド),max max miti max max,3DK 308 A .G,棕ラ.15,红15.25,橙25.40,黄40.55,绿 55~80,1.5 L8 1.2 2.2 ■1.2 6 650 1.0,2引用文件,GB 4587双极型晶体管测试方法,GB7581半导体分立器件外形尺寸,GJB 33 半导体分立器件总规范,GJB 128半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计,结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3. 2.1引出线材料和涂层,SJ 50033/17-94,引出线材料应为可伐,引出线表面应为锡层或银层。对引出线涂层有选择要求时,在合同,或订货单中应予规定.,3.3标忐,器件的标志应按GJB 33的规定,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应按OJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,器件的筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行,超,过本规范表1规定极限值的器件应予剔除,筛 选,（见GJH33的表2）.,测 试,GT和GCT级,7、中间参数测试/0)01和んFE1,8、功率老化见 4. 3.1,%最后测试按本规范表1的A2分组:,修即丒初始值的1。。%或25皿A,取较大者,她阳マ初始值的士20%,4-3-1功率老化条件,功率老化条件如下:,ム=16ム 5士 12. 5.,匕，卜:—25V,匕“ >75W,4.4 质量?致性检验,质量一乳性检验应按GJB 33的规定进行.,4.4- 1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范妻1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4-3 C组检险,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,￠5检验方法,检验方法应按本规范相应的表和下列规定,4,5- 1脉冲测试,脉冲测试应按GJB 128的3. 3. 2. 1的规定,下载,SJ 50033/17-94,4.5.2热阻,热阻测试应按GB 4587的2. 10和下列规定,a.加功率时的ん=2.QA：,b. VCE =25V ；,c丒基准温度测试点应为管壳;,d.基准点温度范围为25c く Tc<75C,实际温度应记录;,e.安装应带散热装置;,f. &“い> 的最大极限值应为L 0C/W,4 5.3 C组寿命试验,C组寿命试验应按GJB 33和本规范的规定进行,4. 5.4恒定加速度,恒定加速度试验应按GJB 33和本规范的规定进行,表1 A组检验,检驗或试願,GB 4587,LTPD 符号,极限值’,单位,方法条 件min max,AL分组GJB 128 5,外观及机械检验2071,A 2分组5,集电极一发射极本规范发射极一基板开路V (BR)CEO,击穿电压附录A Jc =5mA,3DK3O8A 400 — V,3DK308B 450 — V,3DK308C 500 V,3DK308D 550 —■ V,3DK308E 600 一V,3DK308F 700 — V,3DK3O8G 800 一V,发射极一基极2, 9. 2. 2 集电极一基极开路1 『出R)E恥6 — V,击穿电压k = 5mA,集电极一基板2.1 发射机一基极开路; ■— 0.5 mA,截止电瘫= VciJC>,集电极一发射极2.1.4 发射极一基板开路; IcEO — 1.5 mA,截止电流Vra =ア,发射极…基极2.2 集电极…基极开路; IebO — 0, 5 mA,截止电流, V\：h = 6V,集电极ー发射极2. 3……
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